【摘要】 一种电子元件(100)，包括一第一电极(101)、一第二电极(102)、以及一 转换结构(103)，该转换结构电性耦接在上述第一电极(101)和上述第二电极 (102)之间，并可经由加热方式在至少两个状态之间转换，且在至少两个状态 中的不同状态具有不同的电特性，其中上述转换结构(103)包括分别连接至上 述第一电极(101)和上述第二电极(102)的末端部分(104、105)，以及包括介于 上述末端部分(104、105)之间的一线部分(106)，上述线部分(106)具有一较上 述末端部分(104、105)小的宽度或厚度，以及其中上述转换结构(103)依据上 述第一电极(101)和上述第二电极(102)设置，以便在上述至少两个状态的一个 状态中，上述线部分(106)具有仅沿上述线部分(106)的一部分延伸的一非晶点 (107)。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200880021054.9 【申请日】2008-06-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101689603A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101689603B 【授权公告日】2015-08-12 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】H01L45/00 【发明人】雷德弗尔道斯·胡尔库思 【主权项内容】1.一种电子元件(100)，该电子元件(100)包括： 一第一电极(101)； 一第二电极(102)； 一转换结构(103)，电性耦接于该第一电极(101)和该第二电极(102)之间， 该转换结构经由加热方式在至少两个状态之间转换，且该转换结构在至少两 个状态中的不同状态具有不同的电特性； 其中该转换结构(103)包括分别连接至该第一电极(101)和该第二电极 (102)的末端部分(104，105)，以及包括介于该末端部分(104，105)之间的一 线部分(106)，该线部分(106)具有一较该末端部分(104，105)小的厚度； 其中该转换结构(103)依据该第一电极(101)和该第二电极(102)设置，以 便在该至少两个状态其中的一个状态中，该线部分(106)具有仅沿该线部分 (106)的一部分延伸的一非晶点(107)。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】33.0 【家族被引证次数】19
