【摘要】 本发明公开了一种多位阶单元存储器的读取方法及应用其的读取电 路。该多位阶单元存储器的读取方法包括下列步骤：依序提供多个字线电 压；依序提供对应至该多个字线电压的多个位线电压；此多个字线电压的 其中之一大于此多个字线电压的另一，且对应的此多个位线电压的其中之 一小于对应的此多个位线电压的另一。 【专利类型】发明申请 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810172928.2 【申请日】2008-10-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620888A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101620888B 【授权公告日】2012-09-05 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G11C16/26; G11C16/28 【发明人】何信义; 洪继宇 【主权项内容】1、一种多位阶单元存储器的读取方法，其特征在于，该方法包括： 依序提供多个字线电压；以及 依序提供对应至该多个字线电压的多个位线电压； 其中，该多个字线电压的其中之一大于该多个字线电压的另一，且对 应的该多个位线电压的其中之一小于对应的该多个位线电压的另一。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】5.0 【被引证次数】4 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】12
