【摘要】 本发明提供一种发光二极管及其制造方法，其利用高温压合金属及黄光光 刻技术制备一陶瓷铜箔基板，再通过固晶、打线工艺或覆晶技术形成发光二极 管回路。最后，再使用环氧化物、聚硅氧烷树脂或硅胶等封装材料以转注成形、 射出成形方式封装此一发光二极管。本发明提供的发光二极管及其制造方法， 直接利用陶瓷衬底压合铜箔来当作衬底，并且可以在衬底上制作出适当的电极 图形，使得发光二极管裸片能够安置在陶瓷衬底上，如此能达到高集成度、高 散热能力与高散热均匀化的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810211944.8 【申请日】2008-09-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673790A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00; H01L23/498; H01L23/36; H01L21/50; H01L21/60 【发明人】林昇柏; 陈滨全; 张超雄; 陈建民 【主权项内容】1、一种发光二极管，包含： 一陶瓷基板，包含两个贯通孔，经导电膏材料填孔后用以导通陶瓷基板 上下层的金属线路； 一金属结构，位于该陶瓷基板两侧，并且该陶瓷基板两侧的该金属结构 分别具有一第一开口与一第二开口，其中该金属结构包含一铜箔与一金属 层，并且该铜箔位于该陶瓷基板与该金属层之间； 一裸片，位于该金属结构上； 一导线，该导线横跨该第一开口以分别连结于该裸片与金属结构；以及 一封装结构，覆盖该裸片。 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 荣创能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号; 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 【引证次数】1.0 【被引证次数】17 【他引次数】1.0 【被他引次数】17.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】17
