【摘要】 一种超高导磁纳米晶合金的制造方法，母合金成份为Fe72.5～74.5，Cu 0.5～1.5，Nb 2.5～3.5，Si 12.5～14.5，B 8～10(at％)；首先采用真空炉冶炼的方法制备母合金，真空度＜0.026×10 -6MPa；在母合金冶炼过程中，当温度达到1400～1450℃时，向真空炉内加入C进行脱氧，精炼后降温放气，铸锭；其次母合金在珍珠岩保护渣保护下重熔，同时加入硅钙粉脱氧剂再次脱氧，出钢前进行扒渣；最后，在氩气保护下，经喷嘴包使用单辊急冷制成淬态非晶纳米晶合金带；在喷嘴包中配套了25-30PPI Al 2O 3陶瓷过滤器对钢液进行过滤，最终使得SiO 2＜0.026％、B 2O 3＜0.019％(wt％)。本发明制造的超高导磁率纳米晶合金的铁芯导磁率μ 50Hz(H＝5mOe)≥60×10 4，μ 1kHz(H＝5mOe)≥20×10 4。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京冶科电子器材有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】101300 北京市顺义区五里仓环岛东南侧 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】顺义区 【申请号】CN200810085015.7 【申请日】2008-03-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101255506B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101255506B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C22C1/03; C22C38/16 【发明人】郭祥林; 张继超; 王姝; 李丽娜; 郭莉 【主权项内容】一种超高导磁非晶纳米晶合金带的制造方法，其特征在于母合金化学成份为Fe72.5～74.5，Cu0.5～1.5，Nb2.5～3.5，Si12.5～14.5，B8～10(at％)；首先采用真空炉冶炼的方法制备母合金，真空度控制为＜0.026×10-6MPa；在母合金冶炼过程中，当温度达到1400～1450℃时，向真空炉内加入C进行脱氧，精炼后降温放气，铸锭；其次母合金在珍珠岩保护渣保护下重熔，同时加入硅钙粉脱氧剂再次脱氧，出钢前进行扒渣；最后，在氩气保护下，经喷嘴包使用单辊急冷制成淬态非晶纳米晶合金带；在喷嘴包中配套了25-30PPI Al2O3陶瓷过滤器对钢液进行过滤，最终使得SiO2＜0.026％、B2O3＜0.019％(wt％)。 【当前权利人】北京冶科电子器材有限公司 【当前专利权人地址】北京市顺义区五里仓环岛东南侧 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91110113102561319N 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】17
