【摘要】 本发明涉及了一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法，它采用三步抛光法：粗抛光：采用溶质为粒径在45～80纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，该成品抛光液与去离子水的体积比配比为1∶10～35，温度控制在11～40℃；中抛光：采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，该抛光液与去离子水的体积比配比为1∶15～40；温度控制在11～40℃；精抛光：采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为NH4OH的成品抛光液，该抛光液与去离子水的体积比配比为1∶(30～80)；温度控制在11～40℃；最后以去离子水或0.1％～10％的抛光用表面活性剂为抛光液，抛光表面5～20秒钟。本发明的优点是方法简单、有效、且不影响生产效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810239456.8 【申请日】2008-12-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752239A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752239B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/304; H01L21/02 【发明人】史训达; 林霖 【主权项内容】一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法，其特征在于：它采用三步抛光法：(1)、粗抛光：粗抛光过程采用溶质为粒径在45～80纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，上述的含有SiO2颗粒的KOH的成品抛光液与去离子水的体积比配比为1∶10～35；抛光过程的温度控制在11～40℃；(2)中抛光：中抛光过程采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为KOH的成品抛光液，与去离子水的体积比配比为1∶15～40；抛光过程的温度控制在11～40℃；(3)、精抛光：精抛光过程采用溶质为粒径在5～25纳米的SiO2颗粒、溶剂为NHOH的成品抛光液，与去离子水的体积比配比为1∶(30～80)；抛光过程的温度控制在11～40℃；(4)、在精抛光的后期，以去离子水或0.1％～10％的抛光用表面活性剂为抛光液，抛光硅衬底材料表面5～20秒钟。 【当前权利人】有研半导体硅材料股份公司 【当前专利权人地址】北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】18 【被他引次数】18.0 【家族被引证次数】18
