【摘要】 本发明属于高温合金连接技术领域。为了发展新的高温合金连接方法，降低扩散连接温度，本发明提出采用磁控溅射设备在待连接件表面沉积薄膜作为连接中间层进行高温合金的真空扩散连接新方法。磁控溅射制得的薄膜与基体具有良好的结合力，膜层致密均匀，厚度在0.05～10μm之间，晶粒度可达纳米量级，具有较大的表面能，可以在低于常规扩散连接温度200～400℃条件下实现高温合金的连接，通过设计中间层薄膜的成分及结构获得优质接头。连接过程在一般真空扩散炉内即可实现，无需保护气氛，工艺简单易行。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国航空工业第一集团公司北京航空材料研究院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100095 北京市81号信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810172471.5 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101403097B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101403097B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C14/35; C23C14/14; C23C14/58 【发明人】周媛; 李晓红; 毛唯; 吴欣; 熊华平; 程耀永; 陈波; 叶雷 【主权项内容】一种以薄膜为中间层进行高温合金真空扩散连接的方法，其特征在于，包括下述工艺步骤：(1)对待连接件进行表面处理，先用200#、400#、600#、800#、1000#、2000#金相砂纸逐级磨光，再根据需要选择是否进行机械抛光，最后放在丙酮溶液中进行超声波清洗；(2)通过磁控溅射设备在待连接件表面沉积单层结构薄膜，薄膜厚度为0.05～10μm，晶粒度为纳米量级；(3)放入真空扩散炉内，以不低于10℃/min的升温速率加热，在温度为750～950℃、压力为10～30MPa下恒压保温1～3h实现高温合金的连接。 【当前权利人】中国航空工业第一集团公司北京航空材料研究院 【当前专利权人地址】北京市81号信箱 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】13
