【摘要】 一种砷化镓晶片的清洗方法，它包括以下步骤：(1)超声波清洗：(2)浓硫酸清洗： 抛光片放入70-100℃的浓硫酸(98％)中清洗，然后迅速提出放入常温的浓硫酸(98％) 中清洗，清洗完后用去离子水冲洗；(3)碱液清洗：(4)将抛光片甩干；(5)在大于等 于8000lux光强的卤光灯下检测抛光片。本发明的优点是：成本低，简单实用，可操作性强， 能有效清理晶片表面的蜡点、尘埃、脏点，更能有效的清理抛光残留在晶片表面的镓氧化物、 砷氧化物和一些对后续工艺有害的金属，从而获得高质量的砷化镓(GaAs)表面，达到“开 盒即用”的要求。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 国瑞电子材料有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810118475.5 【申请日】2008-08-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661869A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661869B 【授权公告日】2012-06-13 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; H01L21/306; B08B3/04; B08B3/08; B08B3/12 【发明人】方赵刚; 郑安生; 张晓 【主权项内容】1、一种砷化镓晶片的清洗方法，其特征在于：它包括以下步骤： (1)、超声波清洗： ①配制清洗液，其中，超声波清洗剂与去离子水的用量体积比为(1～5)∶(6～10)， 配制时需搅拌，并加温至70-100℃， ②超声波清洗，将抛光片放入超声波清洗机中清洗， ③用去离子水冲洗； (2)、浓硫酸清洗： ①然后将抛光片放入70-100℃的浓硫酸(98％)中清洗， ②然后迅速提出放入常温的浓硫酸(98％)中清洗， ③清洗完后用去离子水冲洗； (3)、碱液清洗： ①配制碱液，其碱液的体积比为NH4OH∶H2O2∶H2O＝(1～5)∶(1～5)∶(6～12)， 其中NH4OH原始的浓度是25％(以NH3计)，H2O2的原始浓度是30％，搅拌，用冰水降 温至0-5℃， ②清洗完后用去离子水冲洗； (4)、将抛光片甩干； (5)、在大于等于8000lux光强的卤光灯下检测抛光片。 【当前权利人】有研国晶辉新材料有限公司 【当前专利权人地址】河北省廊坊市三河市燕郊兴都村南有研科技集团有限公司二部 【被引证次数】34 【被自引次数】1.0 【被他引次数】33.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】36
