【摘要】 该数据由<>整理 本发明公开了一种在缺钾胁迫条件下栽培大豆的方法。该方法是将硅肥在大豆播种前和/或在大豆生长期内施用，使大豆在缺钾胁迫条件下正常生长。本发明通过在缺钾胁迫条件下，在大豆开花初期施以硅钙肥，在大豆的彭粒期施以Na2SiO3，结果表明，施以硅钙肥和Na2SiO3的实验组大豆，其倒伏级数为0.87级，明显优于对照组的3.61级；实验组大豆的染病毒病为0.65级，高于对照组的0.91级，实验组比对照组大豆百粒重平均提高0.22克，实验组大豆平均单产量达到212.71kg/亩，比对照组平均单产量提高12.62％。本发明的在缺钾胁迫条件下栽培大豆的方法，不仅具有重要的应用价值和可操作性，而且具有先进的科学性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院植物研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100093 北京市海淀区香山南辛村20号中科院植物所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810239318.X 【申请日】2008-12-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101743825A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】A01G1/00; C05D9/00 【发明人】张文浩; 韩兴国; 苗保河 【主权项内容】一种在缺钾胁迫条件下栽培大豆的方法，是将硅肥在大豆播种前和/或在大豆生长期内施用，使大豆在缺钾胁迫条件下正常生长。 【当前权利人】中国科学院植物研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区香山南辛村20号中科院植物所 【统一社会信用代码】1210000040000297XF 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
