【摘要】 本发明提供了一种简单的合成Sn掺杂ZnO纳米线的方法-气相沉积方法，这种方法不需要球磨设备。使用的氩气流量较小，加热温度偏低，加热时间较短，大大节约了生产成本。另外，制备过程中也不需要加入异质催化剂，因而可以完全避免杂质对纳米线性能的影响。结果分析表明本发明制备的产物纯度很高，没有形成杂质相，说明本发明的方法是合成高质量Sn掺杂ZnO纳米线的一种有效手段。。： 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810103884.8 【申请日】2008-04-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101328609B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101328609B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/16; C30B29/62; C30B25/00; C30B23/00; C01G9/02 【发明人】常永勤; 郭佳林; 多永正 【主权项内容】一种气相沉积制备锡掺杂氧化锌纳米线的方法，其特征是： 1)将Sn和Zn粉末混合后放入耐热容器中，上面覆盖有耐热导电材料作为接收衬底； 2)将所述的耐热容器放入管式炉中，升温到790～810℃，保温时间为20～30min；管式炉中的气压保持在常压状态，通入氩气的流量为40～55ml/min；3)炉子自然冷却到室温后，在接收衬底上沉积有一层白色产物。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【引证次数】5.0 【自引次数】3.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】9
