【摘要】 本发明公开了半晶体管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，所述半晶体管包括：由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；由离子注入区与重掺杂区形成的二极管；所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，所述离子注入区位于紧邻的绝缘层上；所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接。利用可编程电容被击穿时形成导通电阻，未击穿时仍为绝缘电容的特性以及二极管的正向导通与反向关闭的特性，实现具有存储单元面积小，集成度高，能够随工艺的发展而进一步提高集成度，基于现有逻辑工艺，无需增加特殊工艺、具有高数据存储稳定性和可靠性的一次性可编程存储器。。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京芯技佳易微电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240174.X 【申请日】2008-12-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752384A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752384B 【授权公告日】2012-06-13 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L27/115; H01L21/82; G11C17/06; G11C17/04; H01L21/70 【发明人】朱一明; 苏如伟 【主权项内容】一种半晶体管结构的一次性可编程存储器，其特征在于，所述半晶体管包括：由多晶硅层、栅氧层、轻掺杂漏区、离子注入区形成的可编程电容；由所述离子注入区与重掺杂区形成的二极管；所述可编程电容与所述二极管串联连接；其中，所述离子注入区位于与其紧邻的绝缘层上；所述多晶硅层与字线相连接，所述重掺杂区与位线相连接。 【当前权利人】兆易创新科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101 【家族引证次数】3.0
