【摘要】 本发明属于纳米氧化物半导体异质结构制备技术领域，特别涉及制备SnO2-ZnO异质纳米线的方法。本发明是采用两步气相沉积制备异质纳米线的方法。其方法包括以下过程：将SnO2粉与石墨粉，ZnO粉与石墨粉分别按比例混合，放入管式炉中部和上部位置，以Al2O3为衬底，通过惰性气体(如氩气)传输，用两步热蒸发的方法在Al2O3基片上生长得到SnO2-ZnO异质纳米线。得到的异质纳米线形貌纯净且质量好，在场发射及光电器件方面有应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院理化技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区中关村北一条2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810100984.5 【申请日】2008-02-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311371B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311371B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/22; C30B1/10; C30B29/62 【发明人】师文生; 凌世婷 【主权项内容】一种制备SnO2-ZnO异质纳米线的方法，其特征是：该方法包括以下步骤：1)将SnO2粉和石墨粉按物质的摩尔比为1∶5～5∶1混合研磨，将ZnO粉和石墨粉按物质的摩尔比为1∶5～5∶1混合研磨；以石墨粉的摩尔数为基准；2)将步骤1)得到的两个混合物分别放入两个瓷舟中，然后将装有SnO2粉和石墨粉混合物的瓷舟放在管式炉的中心位置，将装有ZnO粉和石墨粉混合物的瓷舟放在管式炉上部距中心位置10～15cm处；3)将Al2O3基片平铺在步骤2)的管式炉下部距中心5～20cm处，作为纳米线生长的基底；4)将步骤3)的管式炉加热到800～1000℃，升温速度在10～30℃/min；5)将惰性气体通入步骤4)的管式炉中作为载气，载气的流量和管式炉内的压强分别为10～100sccm和50～5000Pa，进行反应生长；6)反应结束后，将步骤5)上部装有ZnO粉和石墨粉混合物的瓷舟推至管式炉的中部，升高温度到1000℃～1150℃；7)待系统降温后取出Al2O3基片，上面的毛绒状产物是SnO2-ZnO异质纳米线。 【当前权利人】中国科学院理化技术研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一条2号 【统一社会信用代码】12100000717800662F 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
