【摘要】 本发明涉及全氧化物异质结场效应管，包括在n型或p型衬底上生长一p 型或n型钙钛矿氧化物材料层，并在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀 一槽，该槽作为场效应管的沟道，该沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极， 另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极，在源极、漏极和槽上沉积栅绝缘材料 层，并且在位于源极和漏极之上的栅绝缘材料层上分别刻蚀一源电极引线孔 和漏电极引线孔，在该源电极引线孔内制备源电极，在漏电极引线孔内制备 漏电极，在栅绝缘材料上制备栅电极。由于本发明提供的全氧化物场效应管 不仅具有功能特性，而且，由于钙钛矿氧化物材料的禁带宽度比较大，熔点 也比较高，因而该全氧化物异质结场效应管也可工作在较高温度等特殊环境 条件下。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810118113.6 【申请日】2008-08-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651150A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651150B 【授权公告日】2012-04-18 【授权公告年份】2012.0 【发明人】吕惠宾; 杨芳; 何萌; 金奎娟; 杨国桢 【主权项内容】1、一种全氧化物异质结场效应管包括：衬底(1)、源极(2)、漏极 (3)、栅绝缘材料层(4)、源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)；其 特征在于，所述的衬底(1)、源极(2)和漏极(3)均是用n型或p型钙钛 矿氧化物材料制作； 其中在所述的n型或p型衬底(1)上相应生长一p型或n型钙钛矿氧化 物材料层，并在所述的p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀出一个槽，该 槽作为场效应管的沟道，所述的沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极(2)， 另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极(3)，在所述源极(2)、漏极(3)和所述的 槽上沉积所述的栅绝缘材料(4)，并且在位于源极(2)和漏极(3)之上的栅绝缘 材料(4)上分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在该源电极引线孔内制 备所述的源电极(5)，在漏电极引线孔内制备所述的漏电极(6)，在所述的栅 绝缘材料层4上制备所述的栅电极(7)； 所述的栅绝缘材料层(4)为非晶的SiO2材料； 所述的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)为导电金属层。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
