【摘要】 三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于PZT薄膜Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3，制备PZT先驱体溶液中各元素的摩尔百分比Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，由所述PZT薄膜作为介质层形成的三维结构PZT电容，其形态致密，均匀性大于95％，厚度为1500埃，相应的提出了制备时所用的DLI-MOCVD方法，以及各阶段控制参数和系统参数。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084 北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810103810.4 【申请日】2008-04-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101257016B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101257016B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/00; H01L27/115; H01L21/02; H01L21/82; H01L21/8247; H01G4/33; H01G4/08 【发明人】阮勇; 任天令; 谢丹; 刘理天; 杨景铭 【主权项内容】一种三维结构PZT电容，其特征在于，该PZT电容在纵截面上从下到上依次含有：中间部位凹下的三维结构硅支撑衬底，使用感应耦合等离子体ICP刻蚀形成，下电极，由至少包括Ir、Pt/Ti、Ru、Cu、金红石型结构氧化物、钙钛矿型结构氧化物在内的材料溅射或蒸发形成，PZT薄膜介质结构，用直接液体输运式MOCVD(DLI‑MOCVD)形成，PZT薄膜介质结构中，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，上电极，由至少包括Ir、Pt/Ti、Ru、Cu、金红石型结构氧化物、钙钛矿型结构氧化物在内的材料溅射或蒸发形成。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】8.0 【他引次数】8.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】8
