【摘要】 本发明实施例公开了一种功率器件芯片，以提高功率器件芯片电流能力，本发明实施例提供的芯片包括多个形状相同且在平面上无缝衔接的元胞，在平面上所述元胞栅极介质层的形状为与正方形面积相同时周长大于正方形周长的形状，因为单位面积内沟道的宽长比是决定芯片电流能力的重要因素。在工艺一定的情况下，沟道的长度是固定的，沟道的宽度可以近似为元胞的周长，所以采用本发明实施例提供的方案将提高功率器件芯片电流能力。 【专利类型】发明申请 【申请人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224582.6 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728382A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L27/02; H01L27/088; H01L29/78; H01L29/423; H01L27/085; H01L29/40; H01L29/66 【发明人】刘鹏飞; 方绍明; 陈勇; 陈洪宁; 王新强; 张立荣; 赵亚民 【主权项内容】一种功率器件芯片，其特征在于，所述芯片包括多个形状相同且在平面上无缝衔接的元胞，在平面上所述元胞栅极介质层的形状为与正方形面积相同时周长大于正方形周长的形状。 【当前权利人】北大方正集团有限公司; 深圳方正微电子有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层; 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 【专利权人类型】其他有限责任公司; 有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108101974963M; 91440300755682249E 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7
