【摘要】 本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；蒸发或沉积金属电极材料；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料；在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形；再次蒸发或沉积金属电极材料，剥离后得到器件的源漏电极图形；沉积生长有机半导体薄膜，完成有源层图形化的有机场效应晶体管的制备。利用本发明，对有源层的图形化工艺简单，没有增加光刻步骤，主要依靠栅介质的台阶特性实现器件隔离和有源层的图形化。另外，本方法也与成熟的光刻工艺兼容，降低了成本，有利于工业生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240085.5 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752508A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752508B 【授权公告日】2011-11-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 王宏; 柳江 【主权项内容】一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在绝缘衬底上涂敷光刻胶；步骤2、光刻得到栅电极图形；步骤3、蒸发或沉积金属电极材料；步骤4、用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；步骤5、在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料；步骤6、在绝缘介质层材料上匀胶后光刻得到器件源漏电极的图形；步骤7、再次蒸发或沉积金属电极材料，剥离后得到器件的源漏电极图形；步骤8、沉积生长有机半导体薄膜，完成有源层图形化的有机场效应晶体管的制备。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
