【摘要】 本发明公开了一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其清洗腔内有磁动旋转装置。二氧化碳超临界流体具有零表面张力、低粘滞度、强扩散能力和溶解能力，可以对硅片上的微细结构进行有效清洗和超临界干燥。该半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机的主要结构是清洗腔，在设计中通过加入磁旋转结构，配合喷嘴，可以达到理想的清洗效果。该设备的开发和研制，可以大大推动半导体清洗技术的发展。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226688.X 【申请日】2008-11-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740337A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740337B 【授权公告日】2012-03-28 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; B08B7/00 【发明人】惠瑜; 景玉鹏 【主权项内容】一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其特征在于，包括：支架(10)；固定于支架(10)上的清洗室(1)和分离室(3)，且清洗室(1)与分离室(3)在底部通过密封的二氧化碳出气管(12)连通；固定于清洗室(1)底部的磁旋转装置(6)；固定于磁旋转装置(6)之上的硅片支架(2)；向清洗室(1)中通入二氧化碳的喷嘴(16)，二氧化碳通过喷嘴(16)直接喷射到硅片支架(2)上的硅片上；与喷嘴(16)连通的助溶剂和清洗剂存储腔(4)；对清洗室(1)进行加热或制冷的温度控制系统(7)，该温度控制系统(7)通过缠绕设置于清洗室(1)外壁的加热和制冷盘管(5)对清洗室(1)进行加热或制冷；通过密封管道和喷嘴(16)与清洗室(1)连通的二氧化碳循环系统(8)，该二氧化碳循环系统(8)同时与分离室(3)通过密封管道连通；以及与分离室(3)底部连通的分离室废液排管(9)。。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】11 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】11
