【摘要】 本发明公开了一种高温退火处理诱导相转变合成金属性氮化铪薄膜的方法，该方法包括：采用化学合成方法制备绝缘性金属氮化铪薄膜；采用高温退火处理诱导相转变，将该绝缘性金属氮化铪薄膜转变为金属性金属氮化铪薄膜。利用本发明，可以有效地使绝缘性金属氮化铪薄膜在高温热处理的条件下发生相转变，进而改性该薄膜的物理及电学特性，这使得利用化学合成方法制备金属氮化物栅电极的应用成为可能。另外，本发明中涉及的高温处理温度为1000摄氏度左右，这和MOS晶体管中的源-漏极掺杂激活退火工艺的温度相近，因此高温诱导相转变制备氮化物栅电极可以和源-漏极激活退火同时进行，具有很好的工艺兼容性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227479.7 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740371A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/28 【发明人】王文武; 陈世杰 【主权项内容】一种高温退火处理诱导相转变合成金属性氮化铪薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化铪薄膜；采用高温退火处理诱导相转变，将该绝缘性金属氮化铪薄膜转变为金属性金属氮化铪薄膜。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U
