【摘要】 本发明公开了一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法，包括：清洗干净柔性塑料衬底；使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极；在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质；烘烤有机栅介质，在有机栅介质上光刻出源漏电极的图形；再次蒸镀金属电极，该电极引线直接从源漏电极上跨过栅介质边缘连到塑料衬底上；剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图；真空蒸镀有机半导体层，完成器件的制作。利用本发明，在工艺上是与成熟的光刻工艺相兼容，且工艺过程中回避了制作过孔的过程，简化了工艺流程从而保证了器件的性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240080.2 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752504A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752504B 【授权公告日】2011-07-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 王宏; 柳江 【主权项内容】一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、清洗干净柔性塑料衬底；步骤2、使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极；步骤3、在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质；步骤4、烘烤有机栅介质，在有机栅介质上光刻出源漏电极的图形；步骤5、再次蒸镀金属电极，该电极引线直接从源漏电极上跨过栅介质边缘连到塑料衬底上；步骤6、剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图；步骤7、真空蒸镀有机半导体层，完成器件的制作。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族引证次数】4.0
