【摘要】 本发明公开了一种金属环形栅有机晶体管结构，该结构包括：绝缘衬 底、在该绝缘衬底表面制备的环形栅电极、在该绝缘衬底表面及环形栅电 极上制备的栅介质层、在栅介质层上制备的有机半导体层，以及在该有机 半导体层圆形表面制备的圆形源电极和环形漏电极。本发明同时公开了一 种制备金属环形栅有机晶体管结构的方法，该方法包括：在绝缘衬底上制 备环形栅电极；在绝缘衬底表面及该环形栅电极上制备栅介质层；在该栅 介质层上制备有机半导体层；在该有机半导体上制备圆形源电极和环形漏 电极。利用本发明，通过改变电极的尺寸比例就可以很好地控制器件的工 作电流密度和阈值电压，通过嵌入式的电极结构提高了器件的集成度，能 够和现有的硅微加工技术兼容。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810118730.6 【申请日】2008-08-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656295A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【发明人】商立伟; 刘明; 涂德钰; 甄丽娟; 刘舸; 刘兴华 【主权项内容】1、一种金属环形栅有机晶体管结构，其特征在于，该结构包括： 一绝缘衬底； 在该绝缘衬底表面制备的环形栅电极； 在该绝缘衬底表面及环形栅电极上制备的栅介质层； 在栅介质层上制备的有机半导体层； 在该有机半导体层圆形表面制备的圆形源电极和环形漏电极。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
