24小时服务热线
效率高速
品质保障
厂家直供
售后保障
行业新闻
当前位置:行业新闻>

一种单相Mn6N2.58粉末的制备方法专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 一种单相Mn6N2.58粉末的制备方法属于粉末制备技术领域。现有MnxN粉末的制备方法存在反应时间长,对工艺参数要求苛刻等问题。本发明通过将纯金属Mn粉与高纯氮气在管式真空炉中反应,得到Mn6N2.58和Mn4N的混合粉末,再将混合粉末在氩气环境中,利用机械合金化的方法进行球磨处理,获得单相的Mn6N2.58粉末。本发明具有反应参数和球磨参数可调范围宽,工业实用性强,所用设备简单,易于操作,生产成本低等优点。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100124 北京市朝阳区平乐园100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810115717.5 【申请日】2008-06-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101302004B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101302004B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B21/06 【发明人】宋晓艳; 孙中华 【主权项内容】一种单相Mn6N2.58粉末的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)通氮气将高温管式真空炉炉管清洗3次后,将Mn粉和氮气在高温管式真空炉中,于750~1100℃,1.0MPa下,反应2~6小时,得到Mn6N2.58和Mn4N的两相混合粉末;2)将步骤1)中得到的混合粉末在充氩气的手套箱中,采用球磨机球磨10~40小时,得到单相Mn6N2.58粉末,其中,球磨机转速为500转/分,球料质量比为10~30∶1。 【当前权利人】北京工业大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区平乐园100号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12110000400687411U 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8

  • 【摘要】本发明公开了一种制备ZnO多沟道纳米线场效应晶体管的方法,包括:准备高掺杂的P++衬底;在高掺杂的P++衬底的正面蒸发一层SiO2形成栅氧;采用HF湿法腐蚀去掉高掺杂P++衬底背面的氧化层,背金形成栅极;在栅氧上光刻蒸发源漏金属电极
  • 【摘要】本发明涉及石油机械技术领域,具体涉及一种油井水平捞砂系统及其捞砂方法。为了解决现有捞砂工艺中单流阀的密封性问题,捞砂泵的泵体与套管及接箍之间的摩擦问题,附着在套管内壁上的残砂的清理问题,本发明提供一种油井水平捞砂系统及其捞砂方法,从
  • 【摘要】一种硅栅极的刻蚀方法,用于对包括硅栅的硬掩膜图案层和硅栅层的膜层进行刻蚀形成硅栅极;包括初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀的步骤,其特征在于,在所述的初刻蚀步骤中的刻蚀剂中添加有硬掩膜图案层刻蚀抑制剂。一种提高硅栅极线宽腔室匹配的方法;本发明的
  • 【摘要】本发明公开了一类含萘氧侧基的环戊二烯-铁-苯茂铁盐化合物,该类化合物用作阳离子 光聚合的光引发剂,属于有机合成和阳离子光聚合技术领域。该类化合物的制备分两步,先 以二茂铁和氯苯为原料,在Lewis酸催化作用下发生配体交换反应得到环戊
  • 【摘要】本发明公开了一种基于衬底修饰制备各向异性有机场效应管的方法,是通过一次绝缘介质层生长、一次光刻、一次单层分子自组装修饰衬底、一次有机半导体薄膜生长和一次金属沉积,获得各向异性的有机场效应管,具体包括以下步骤:在导电基底上生长绝缘介质
  • 【摘要】本发明公开了一种电感器电路,包括一个串联连接在一整流器电路直流 侧一条线路中的电感器,还包括一个第一控制器、一个第二控制器、一个第 三控制器以及一个开关器件,开关器件并联连接在整流器电路直流侧的两条 线路之间,第一控制器用于根据电压