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实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法,该方法包括:在场效应管衬底上采用正性光刻胶和十字阳版光刻,显影形成按照一定规律排列的十字;蒸发Ti/Au形成金属十字Marker以及十字两侧的队列标记;采用超声乙醇水解法将ZnO纳米线从原生长衬底上剥离;采用滴管将包含ZnO纳米线的液滴滴入所述金属十字Marker中央,利用十字Marker和两侧的队列标记定位出纳米线所在的位置。利用本发明,实现了ZnO纳米线从原玻璃衬底到场效应管衬底的沉积和定位,解决了ZnO纳米线上沉积到器件衬底后的杂乱排列的问题,实现了纳米线的精确定位。。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103255.5 【申请日】2008-04-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101552205B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101552205B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/335; H01L21/368 【发明人】黎明; 张海英; 付晓君; 徐静波 【主权项内容】一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法,其特征在于,该方法包括:在场效应管衬底上面先生长一层SiO2介质,在其上涂反转胶,前烘后RIE打底胶;对已涂好反转胶的片子用十字阳版进行光刻,显影形成按照一定规律排列的十字;蒸发Ti/Au形成金属十字标记以及十字两侧的队列标记,其中蒸发十字标记的Ti的厚度为300埃,Au的厚度为1000埃;采用超声乙醇水解法将ZnO纳米线从原生长衬底上剥离;采用滴管将包含ZnO纳米线的液滴滴入所述金属十字标记中央,利用十字标记和两侧的队列标记定位出纳米线所在的位置。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0

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