【摘要】 本发明涉及一种在扫描电子显微镜中对待测微型元件进行电学测量的装 置，具体为一种扫描电子显微镜原位电学测量装置，属于纳米材料性能原位 测量领域。包括有支撑部分和电路部分，所述的支撑部分为绝缘衬底(1)， 所述的电路部分包括两个固定在绝缘衬底(1)上的电极(2)、待测元件(4) 和相变材料非晶薄膜(5)；所述的相变材料非晶薄膜均匀分布在两金属电极 之间，待测元件位于相变材料非晶薄膜中或者集成在金属电极上。本发明中 的连线具有可擦写的特点，通过电极两端加较高电压，或者直接对载网进行 一定的激光脉冲辐照，使相变材料薄膜完全非晶化，使已经形成的电流通路 消失实现了测量电路的可选择性，可反复擦写性。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100022北京市朝阳区平乐园100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810056407.0 【申请日】2008-01-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100590440C 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100590440C 【授权公告日】2010-02-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01R31/00 【发明人】张泽; 王珂; 刘攀; 韩晓东 【主权项内容】1、一种扫描电子显微镜中原位电学测量装置，其装置特征在于：包括有支撑 部分和电路部分，所述的支撑部分为绝缘衬底(1)，所述的电路部分包括固 定在绝缘衬底(1)上的两个电极(2)、待测元件(4)和相变材料非晶薄膜 (5)；所述的相变材料非晶薄膜(5)均匀分布在两个电极(2)之间，待测 元件(4)位于相变材料非晶薄膜(5)中或者集成在电极(2)上； 所述的相变材料非晶薄膜(5)在电子束或激光辐照下能够从非晶相变为 晶体电阻降低，在高电压或电脉冲或激光照射下又从晶体转变为非晶。 【当前权利人】北京工业大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区平乐园100号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12110000400687411U 【引证次数】7.0 【自引次数】2.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】9
