【摘要】 本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构，该结构由有机 半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属 薄膜构成。对于顶接触式器件结构，该第一层金属薄膜为高功函数金属薄 膜，该第二层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第一层金属薄膜与有机半导体 薄膜直接接触，该第二层金属薄膜与互连线接触。对于底接触式器件结构， 该第一层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第二层金属薄膜为高功函数金属薄 膜，该第二层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触，且该第二层金属薄膜 与互连线接触。本发明同时公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构 的制备方法。利用本发明，能够在不降低器件性能前提下多方面降低成本， 推动有机电路的实用化。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810119085.X 【申请日】2008-08-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661993A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661993B 【授权公告日】2011-10-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L51/10; H01L51/30; H01L51/40; H01L51/00 【发明人】商立伟; 刘明; 涂德钰; 甄丽娟; 刘舸; 刘兴华 【主权项内容】1、一种应用于有机电路的双金属电极结构，其特征在于，该双金属 电极结构由有机半导体薄膜、第一层金属薄膜，以及沉积在该第一层金属 薄膜上的第二层金属薄膜构成。 ： 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
