【摘要】 本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造 领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和 电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频 供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏 压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过 电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地 降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810223342.4 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100595886C 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100595886C 【授权公告日】2010-03-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/3065 【发明人】刘训春; 王佳; 周宗义; 李兵; 王建海; 黄清华 【主权项内容】1.一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法，其特征在于，在反应离子刻蚀的反应室 的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路，所述LC谐振回 路的谐振频率与所述反应离子刻蚀的反应室的射频供电电源的频率相同。。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】1
