【摘要】 本发明公开了一种铜阻挡层-籽晶层薄膜制备的方法，首先在基板上形成通孔和沟槽，并对通孔和沟槽进行去气处理；然后进行氮化钽薄膜沉积和金属钽薄膜沉积；之后进行离子溅射；再进行籽晶层沉积。通过离子溅射步骤，可以去掉预清洗步骤和重溅射步骤，简化了工艺和设备，且不会对基片产生污染。可以应用于45nm以下技术节点的铜双大马士革互连工艺，实现向32nm以下技术节点扩展，并避免向更小技术节点扩展时芯片制造设备升级的成本支出。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240829.3 【申请日】2008-12-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764084A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764084B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/3205; C23C14/34; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】杨柏 【主权项内容】一种铜阻挡层-籽晶层薄膜制备的方法，包括在基板上形成通孔和沟槽，其特征在于，包括步骤：首先，在所述形成通孔和沟槽的基板上沉积阻挡层，具体包括氮化钽薄膜沉积、金属钽薄膜沉积；然后，进行离子溅射，所述离子为惰性气体离子；之后，进行籽晶层沉积。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】7 【被自引次数】2.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】7
