【摘要】 本发明涉及一种TFT-LCD像素结构、制造方法和断线修复方法。结构包 括由栅线和数据线限定的数个像素单元，每个像素单元内形成有薄膜晶体管 和像素电极，栅线的下侧形成有第一公共电极线和栅线的上侧形成有第二公 共电极线，像素单元的左侧形成有第一挡光条和像素单元的右侧形成有第二 挡光条；第一公共电极线、第二公共电极线、第一挡光条和第二挡光条呈一 体结构并在像素单元的周边形成环形结构；位于栅线上侧的第二公共电极线 和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。本发明维修快捷高效， 成功率高。。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810119322.2 【申请日】2008-09-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101666948A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101666948B 【授权公告日】2011-01-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L21/84; G02F1/13 【发明人】王峥 【主权项内容】1、一种TFT-LCD像素结构，包括由栅线和数据线限定的数个像素单元， 每个像素单元内形成有薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，所述栅线的下 侧形成有第一公共电极线和所述栅线的上侧形成有第二公共电极线，所述像 素单元的左侧形成有第一挡光条和所述像素单元的右侧形成有第二挡光条； 所述第一公共电极线、所述第二公共电极线、所述第一挡光条和所述第二挡 光条呈一体结构并在所述像素单元的周边形成环形结构；位于栅线上侧的第 二公共电极线和位于栅线下侧的第一公共电极线通过连接电极连接。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】55 【被自引次数】33.0 【被他引次数】22.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】55
