【摘要】 本发明涉及一种水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方 法。其中该方法采用一个单调掩模板和两个双调掩模板制造了液晶显示装置 的阵列基板，具体为：通过采用单调掩模板形成栅线、栅电极和显示区域； 通过采用第一双调掩模板形成TFT和位于板状电极上的透射区域和反射区 域；通过采用第二双调掩模板形成过孔和缝隙电极。相比采用三个双调掩模 板的现有技术，本发明采用了一个单调掩模板和两个双调掩模板，从而不仅 通过降低掩模板的价格降低了制作成本，而且通过减少一次灰化工艺实现了 工艺的简单化。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810119139.2 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661908A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661908B 【授权公告日】2011-06-29 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L21/28; G03F1/00; G02F1/1362 【发明人】宋泳锡; 崔承镇; 刘圣烈 【主权项内容】1、一种水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法，包括预 置层的制作和后置层的制作，其特征在于，所述预置层的制作包括： 第一次掩模工艺，在基板上依次沉积第一透明导电层和第一金属层之后 涂布光刻胶，采用单调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成分别由所述 第一透明导电层和所述第一金属层构成的显示区域图案、栅线和从所述栅线 分支出来的栅电极； 第二次掩模工艺，在经过所述第一次掩模工艺的基板上依次沉积第一绝 缘层、半导体层、掺杂半导体层和第二金属层并且涂布光刻胶，采用第一双 调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成硅岛图案和数据线图案并且在所 述显示区域中露出位于透射区域的所述第一金属层，对所述光刻胶进行灰化 工艺之后再进行蚀刻，在所述硅岛图案上形成沟道、与数据线连接的源电极 和漏电极，并且在所述显示区域图案上形成板状电极，并且所述板状电极的 反射区域由所述第一透明导电层和所述第一金属层构成，所述板状电极的透 射区域由所述第一透明导电层构成。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】15
