【摘要】 本发明提供一种电磁波屏蔽方法及电磁波屏蔽罩。为了解决现有技术中 屏蔽罩造成内部元器件电磁波反射的问题，提出了一种电磁波屏蔽方法，其 特征在于该方法包括，确定屏蔽罩内有源元件的位置，在所述屏蔽罩上相应 于有源元件的部分开设至少一个通孔。本发明的有益效果在于，本发明通过 简单的结构克服了现有技术中屏蔽罩内部电磁波反射造成的功率元器件输入 、输出不准确，杂散性不高的问题，提高了电器元件的稳定性，节约成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】京芯世纪(北京)半导体科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区西环南路18号A座164室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810112660.3 【申请日】2008-05-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100593966C 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100593966C 【授权公告日】2010-03-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H05K9/00 【发明人】马大鹏 【主权项内容】1.一种电磁波屏蔽方法，其特征在于该方法包括，确定屏蔽罩内有源元 件的位置，在所述屏蔽罩上相应于有源元件正上方的部分开设至少一个通孔， 其中，所述通孔的周长小于有源元件产生的电磁波的二次谐波波长的一半。 【当前权利人】京芯世纪(北京)半导体科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区西环南路18号A座164室 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302693274556G 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】8
