【摘要】 本发明公开了一种半导体器件的制造方法及MOS器件阱区的形成方法，该制造方法包括步骤：提供具有缓冲氧化物层和氮化物层的半导体衬底，在半导体衬底中具有浅沟槽隔离区，所述缓冲氧化物层位于所述浅沟槽隔离区之外的半导体衬底上，所述氮化物层位于所述缓冲氧化物层上；去除所述氮化物层；对具有所述缓冲氧化物层的半导体衬底进行离子注入，形成阱区；去除所述缓冲氧化物层；在半导体衬底上形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。使得半导体器件的阈值电压升高，半导体器件的性能更好。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224583.0 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728268A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/265; H01L21/8238; H01L21/02; H01L21/70 【发明人】居建华 【主权项内容】一种MOS器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供具有缓冲氧化物层和氮化物层的半导体衬底，在半导体衬底中具有浅沟槽隔离区，所述缓冲氧化物层位于所述浅沟槽隔离区之外的半导体衬底上，所述氮化物层位于所述缓冲氧化物层上；去除所述氮化物层；对具有所述缓冲氧化物层的半导体衬底进行离子注入，形成阱区；去除所述缓冲氧化物层；在半导体衬底上形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏极区。。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】2
