【摘要】 本发明公开了一种具有双镶嵌结构的半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；形成通孔开口；检测所述通孔开口底部残留的所述第一介质层的剩余厚度；在所述第一介质层上和所述通孔开口内形成第二介质层；在所述第二介质层上形成沟槽图形；形成沟槽；去除所述第二介质层；根据所述剩余厚度调整第三刻蚀的工艺条件；进行第三刻蚀，以去除所述通孔开口底部残留的所述第一介质层；形成双镶嵌结构。本发明还公开了相应的一种具有双镶嵌结构的半导体器件。本发明的具有双镶嵌结构的半导体器件及其形成方法，在无刻蚀停止层下形成了高质量的双镶嵌结构，有效降低了双镶嵌结构的k值。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810225758.X 【申请日】2008-11-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740475A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740475B 【授权公告日】2012-04-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L23/522; H01L21/70; H01L23/52 【发明人】孙武; 沈满华; 王新鹏 【主权项内容】一种具有双镶嵌结构的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有导电结构的衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成通孔图形；以所述通孔图形为掩膜进行第一刻蚀，以在所述第一介质层内形成通孔开口；检测所述通孔开口底部残留的所述第一介质层的剩余厚度；在所述第一介质层上和所述通孔开口内形成第二介质层；在所述第二介质层上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行第二刻蚀，以形成沟槽，且所述沟槽下方至少有一个所述通孔开口；去除所述第二介质层；根据所述剩余厚度调整第三刻蚀的工艺条件；进行第三刻蚀，以去除所述通孔开口底部残留的所述第一介质层；在所述通孔开口和沟槽内填充铜金属，形成双镶嵌结构。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】7 【他引次数】1.0 【被自引次数】3.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】7
