【摘要】 本发明公开了一种缝隙填充的处理方法，用于在带有缝隙的半导体衬底 上形成薄膜并完全填充该缝隙，包括：使用高密度等离子体化学气相沉积的 方法进行填隙；使用三氟化氮对所述缝隙边角处沉积的悬突进行刻蚀；通入 氢气进行氢钝化处理后，通入氧气与所述氢钝化处理后残留的氢气反应，并 排出反应腔中的全部气体，返回执行所述填隙操作直到完成对所述缝隙的填 充。本发明实施例提供的这种缝隙填充的处理方法，在进行氢钝化处理后通 入氧气，能够去除反应腔中残余的氢气，从而避免了氢气被引入生成的薄膜 中，从而能够避免各种因H2而产生的性能降低，提高薄膜性能。本发明还 同时公开了一种浅沟道隔离槽的制作方法，能够提高隔离槽薄膜的性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222110.7 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673660A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673660B 【授权公告日】2012-04-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/762; H01L21/70 【发明人】胡亚威; 刘明源; 郑春生 【主权项内容】1、一种缝隙填充的处理方法，用于在带有缝隙的半导体衬底上形成薄膜并 完全填充该缝隙，其中包括： 使用高密度等离子体化学气相沉积的方法进行填隙； 使用三氟化氮对所述缝隙边角处沉积的悬突进行刻蚀； 通入氢气进行氢钝化处理后，返回执行所述填隙操作直到完成对所述缝隙 的填充； 其特征在于，该方法在所述通入氢气进行氢钝化处理后，返回执行所述填 隙操作之前还包括： 通入氧气与所述氢钝化处理后残留的氢气反应，并排出反应腔中的全部气 体。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】7 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7
