【摘要】 一种双镶嵌结构形成方法，包括：在基底上形成介质层及贯穿所述 介质层的通孔；形成覆盖所述介质层并填充所述通孔的抗蚀剂层；图形 化所述抗蚀剂层，暴露所述介质层的部分表面及填充所述通孔的抗蚀剂 层；以覆盖所述介质层的部分表面的抗蚀剂层为掩模，执行主刻蚀操作， 去除部分深度的所述介质层及填充所述通孔的抗蚀剂层，使填充所述通 孔的抗蚀剂层高于剩余的所述介质层；利用氟碳气体执行平行于所述基 底的刻蚀操作；去除部分深度的填充所述通孔的抗蚀剂层，使获得的填 充所述通孔的抗蚀剂层与剩余的所述介质层高度相同；去除剩余的所述 抗蚀剂层。可减少形成双镶嵌结构时刻面缺陷及栏式缺陷的产生。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117726.8 【申请日】2008-08-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101645414A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101645414B 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【发明人】王新鹏; 沈满华; 孙武; 尹晓明 【主权项内容】1.一种双镶嵌结构形成方法，其特征在于，包括： 在基底上形成介质层及贯穿所述介质层的通孔； 形成覆盖所述介质层并填充所述通孔的抗蚀剂层； 图形化所述抗蚀剂层，暴露所述介质层的部分表面及填充所述通孔 的抗蚀剂层； 以覆盖所述介质层的部分表面的抗蚀剂层为掩模，执行主刻蚀操 作，去除部分深度的所述介质层及填充所述通孔的抗蚀剂层，使填充所 述通孔的抗蚀剂层高于剩余的所述介质层； 利用氟碳气体执行平行于所述基底的刻蚀操作； 去除部分深度的填充所述通孔的抗蚀剂层，使获得的填充所述通孔 的抗蚀剂层与剩余的所述介质层高度相同； 去除剩余的所述抗蚀剂层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
