【摘要】 本发明涉及一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，该方法形成栅线和 数据线并且在薄膜晶体管沟道上形成钝化层后，在形成过孔和像素电极时， 采用一个单调掩模板从基板正面曝光光刻胶并且形成采用一个双调掩模板时 能够形成的透射区域和非透射区域；通过适当减小用于曝光的光源的光强， 在没有掩模板遮挡的前提下从基板的反面曝光光刻胶并形成采用一个双调掩 模板时能够形成的半透射区域，从而用一个单调掩模板替代了一个双调掩模 板。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222790.2 【申请日】2008-09-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685803A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685803B 【授权公告日】2012-12-26 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L21/768; H01L21/70 【发明人】尹雄宣 【主权项内容】1、一种液晶显示装置的阵列基板制造方法，其特征在于，包括： 步骤1，在基板正面上形成栅线和公共线； 步骤2，在完成步骤1的基板上形成硅岛、源电极、漏电极和薄膜晶体管 沟道； 步骤3，在完成步骤2的基板上沉积钝化层； 步骤4，在完成步骤3的基板上涂覆光刻胶； 步骤5，通过在所述基板的正面采用单调掩模板进行曝光、在所述基板的 反面进行曝光、以及显影和蚀刻，在漏电极的边缘区域蚀刻掉钝化层，并露 出作为像素电极接触部的部分漏电极表面； 步骤6，在完成步骤5的基板上沉积像素电极透明导电层； 步骤7，剥离所述光刻胶，在像素区域形成像素电极图形，所述像素电极 通过所述像素电极接触部与漏电极连接。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】5 【被自引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】5
