【摘要】 本发明为一种半导体激光器的频率调制方法，属于光电工程技术领域。本调制方法是，当其温度一定时，利用波长对电流变化饱和区域相对于功率对电流变化饱和区域的相对滞后，在功率饱和波长变化区域内对半导体激光器的频率进行调制。本发明改进了半导体激光器频率调制的方法，可以有效地抑制由于频率调制而伴随产生的功率的变化，实现频率调制而输出光功率相对稳定不变的目的。 【专利类型】发明授权 【申请人】昆明理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) 【申请人地区】中国 【申请人城市】昆明市 【申请人区县】五华区 【申请号】CN200810058640.2 【申请日】2008-07-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101308995B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101308995B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01S5/06; H01S5/042 【发明人】吴尚谦 【主权项内容】一种半导体激光器的频率调制方法，其特征是：①将半导体激光器温度控制为一定常值，从阈值电流以下开始扫引泵浦电流，同时测定半导体激光器输出光的波长和功率；②根据功率和波长随泵浦电流的变化，划分出半导体激光器的三个特性区域，即半导体激光器的功率和波长均在变化的PVWV区、功率饱和而波长在变化的PSWV区、功率和波长均达到饱和的PSWS区；采用以下装置来划定PSWV区域，即采用温度控制器将半导体激光器的工作温度控制在常值，采用激光器电源调整半导体激光器的泵浦电流，采用分束比为1∶1的分束透镜将半导体激光器的激光束一分为二：其中一束进入激光功率计，用来测定激光功率，另一束光进入波长检测器测定激光波长；③依照所划定的区域，使半导体激光器在PSWV区内工作，从而进行单纯的频率调制。 【当前权利人】昆明理工大学 【当前专利权人地址】云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) 【统一社会信用代码】125300004312044864 【家族被引证次数】2
