【摘要】 本发明涉及一种相变存储器存储单元底电极结构的改进以及制作实施方 法，所述的相变存储器存储单元包括顶电极1、顶电极的过渡层2，以及与顶 电极的过渡层2和底电极6接触的相变材料层，其特征在于底电极上端呈探 针式电极结构，探针式电极的针尖7深入相变材料层的内部。探针式电极的 针尖呈等腰三角形。其制作实施方法为采用标准CMOS工艺制备绝缘介质中 的钨底电极，然后采用湿法腐蚀绝缘介质层使钨底电极暴露，再用电化学腐 蚀钨底电极使其形貌为探针状，得到探针式电极和等腰三角形针尖，使W电 极的热量损失降低至19％。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200810200709.0 【申请日】2008-09-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640251A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640251B 【授权公告日】2012-06-13 【授权公告年份】2012.0 【发明人】刘燕; 宋志棠; 凌云; 龚岳峰; 封松林 【主权项内容】1、一种相变存储器存储单元的底电极结构的改进，所述的相变存储器存 储单元包括顶电极(1)、顶电极的过渡层(2)，以及与顶电极的过渡层(2)和底电 极(4)接触的相变材料层，其特征在于底电极的上端呈探针式电极结构，探针 式电极的针尖(7)深入相变材料层的内部。 【当前权利人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【统一社会信用代码】12100000425006790C 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
