【摘要】 本发明涉及长波长(1.3μm)InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及制作方法，其特征在于有源层为InP基的InAsP/InGaAsP应变 补偿量子阱。由有效质量模型计算得到InAsP/InGaAsP量子阱能级，从获取 最大电子限制能量角度设计了量子阱结构参数。InAsP/InGaAsP量子阱材料 体系的主要优点在于它的导带带阶大因而有利于电子限制，实现高温度工作 性能。该VCSEL器件结构由气态源分子束外延技术生长。InAsP/InGaAsP量 子阱VCSEL底部腔镜为GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)，采用高温 直接键合方法实现InP基有源区与GaAs/AlAs DBR的融合，顶部腔镜则由多 层光学介质膜DBR构成，电流限制孔径则由侧向腐蚀p+-AlInAs/n+-InP工艺 实现。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200810200655.8 【申请日】2008-09-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685942A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01S5/343; H01S5/183; H01S5/00 【发明人】劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌 【主权项内容】1、一种InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔型面发射激光器，包括 衬底、底部分布反馈布拉格腔镜和顶部分布反馈布拉格腔镜，中间夹有一个 光学谐振微腔，光学谐振微腔包含一个掩埋隧道结和一个侧向电流限制孔径， 其特征在于有源层是InP基的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱， InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面半导体激光器的底部腔镜由GaAs基DBR与 InP基有源区高温直接键合，顶部腔镜采用多层光学介质膜DBR构成。 -官网 【当前权利人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【统一社会信用代码】12100000425006790C 【引证次数】2.0 【被引证次数】14 【自引次数】2.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】14
