【摘要】 本发明公开了一种等离子腔室及其温度控制方法，所述等离子腔室包括： 下腔体，所述下腔体上面的上腔体，下腔体底部的基片支承装置和设于上腔 体之中的控温模块；所述上腔体具有侧壁和覆盖于侧壁上的介质窗；所述下 腔体、上腔体之间形成等离子腔室的内腔。本发明公开的等离子腔室的上腔 体内设有控温模块，该控温模块可以单独控制覆盖于上腔体侧壁上的介质窗 的温度，使介质窗的温度能够达到并稳定在设定温度，并配合等离子腔室的 下腔体和基片支承装置的温度控制，能够保证等离子加工工艺的稳定性和准 确性。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016北京市朝阳区酒仙桥东路一号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810118767.9 【申请日】2008-08-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656194A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656194B 【授权公告日】2011-09-14 【授权公告年份】2011.0 【发明人】彭宇霖 【主权项内容】1、一种等离子腔室，其特征在于，包括：下腔体，位于下腔体上面的上 腔体，位于下腔体底部的基片支承装置和位于上腔体之中的控温模块；所述 上腔体具有侧壁和覆盖于侧壁上的介质窗；所述下腔体、上腔体之间形成等 离子腔室的内腔。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
