【摘要】 本发明公开了一种具有自对准接触孔的表面沟道PMOS器件制作方法，采用氮化硅栅覆盖层和氧化硅栅覆盖层代替单一的氮化硅栅覆盖层，作为自对准接触孔工艺所需要的多晶硅栅上的栅覆盖层。氧化硅栅覆盖层的厚度远大于氮化硅栅覆盖层的厚度。在PMOS晶体管的侧墙刻蚀后，利用有源区的反版光刻，保护场氧，然后采用湿法腐蚀掉多晶硅栅上的氧化硅栅覆盖层。这样，NMOS晶体管和PMOS晶体管的源漏离子注入都能穿过氮化硅栅覆盖层进入多晶硅栅，分别形成N型和P型多晶硅栅，使得表面沟道器件得以实现。本发明还公开了一种具有自对准接触孔的表面沟道PMOS器件。本发明能够在不影响现有自对准接触孔制作工艺的基础上制作表面沟道PMOS器件。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810044059.5 【申请日】2008-12-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752314A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752314B 【授权公告日】2012-10-03 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/8234; H01L21/768; H01L27/088; H01L23/522; H01L21/70; H01L23/52; H01L27/085 【发明人】钱文生 【主权项内容】一种具有自对准接触孔的表面沟道PMOS器件制作方法，包括如下步骤：在P型衬底上依次形成N阱和栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积多晶硅栅层，形成至少两个栅极；其特征在于：还包括如下步骤：在所述多晶硅栅上依次淀积氮化硅栅覆盖层和氧化硅栅覆盖层，且使氧化硅栅覆盖层的厚度大于氮化硅栅覆盖层的厚度；刻蚀所述多晶硅栅层和两层栅覆盖层，形成所需要的形貌；在所述栅氧化层的上表面淀积一层氮化硅，覆盖栅氧化层、多晶硅栅层和两层栅覆盖层，对所述氮化硅层进行光刻及刻蚀，形成氮化硅侧墙；利用有源区的反版光刻，保护场氧；采用湿法腐蚀去除氧化硅栅覆盖层，暴露出所述的氮化硅栅覆盖层，形成侧墙高于栅极的结构；进行PMOS晶体管的源漏硼离子注入与退火，分别形成源区和漏区；所述PMOS晶体管的源漏硼离子注入穿过氮化硅栅覆盖层，进入多晶硅栅层，实现表面沟道的PMOS器件；淀积层间介质膜；进行PMOS晶体管栅极接触孔的刻蚀；在两个栅极之间的层间介质膜上涂敷光刻胶，曝光显影形成自对准接触孔图案，通过刻蚀形成自对准接触孔。。数据由整理 【当前权利人】上海华虹宏力半导体制造有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】6
