【摘要】 本实用新型公开了一种集成电路及芯片尺寸封装集成电路，所得到的新集 成电路小于较早的拼片式版本，新集成电路可具有更低的制造成本。集成电路 包括：降压转换器控制器；PFET；NFET，其以共用漏极配置形式耦合到PFET； 第一微凸点，其连接到PFET的源极；第二微凸点，其连接到NFET的源极；第 三微凸点，其连接到共用漏极节点；第四微凸点，其连接到控制器的反馈输入 引线；以及多个其它微凸点。这些其它微凸点用于向控制器提供信号及/或从控 制器传导信号。这四个微凸点中的各个微凸点被设置成分别占据正方形图案的 四个角中的一个角。其它微凸点与这四个微凸点一同设置成规则的网格形式， 但其它微凸点均不设置于这四个微凸点中的任何两个之间。 【专利类型】实用新型 【申请人】技领半导体(上海)有限公司; 技领半导体国际股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203上海市浦东新区张江高科技园区碧波路912弄2-3号楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200820210112.X 【申请日】2008-10-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN201408761Y 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN201408761Y 【授权公告日】2010-02-17 【授权公告年份】2010.0 【发明人】黄树良; 龚大伟 【主权项内容】1.一种集成电路，其特征在于，它包括：四个微凸点，设置于所述集成电路的主表面上，其中所述四个微凸点排列成正方形图案，使所述四个微凸点中的每一个微凸点设置在所述正方形的相应角上，其中除所述四个微凸点之外，没有其它微凸点设置在所述正方形内所述主表面上；降压转换器，具有P沟道晶体管、N沟道晶体管以及控制电路，其中所述四个微凸点中的第一微凸点连接到所述P沟道晶体管的源极，其中所述P沟道晶体管的漏极连接到所述N沟道晶体管的漏极并且连接到所述四个微凸点中的第二微凸点，其中所述N沟道晶体管的源极连接到所述四个微凸点中的第三微凸点，并且其中所述四个微凸点中的第四微凸点连接到所述控制电路的反馈输入端；以及附加微凸点，设置于所述集成电路的所述主表面上，其中所述附加微凸点及所述四个微凸点排列于规则的网格上，并且其中所述降压转换器通过所述附加微凸点接收控制信号。 【当前权利人】技领半导体(上海)有限公司; 技领半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1077号凌阳大厦1202室; 美国得克萨斯州 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115761195092N 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
