【摘要】 一种光刻方法，包括：提供表面具有曝光未完全的光致抗蚀剂的晶片；根据所述曝光未完全的光致抗蚀剂厚度，对所述光致抗蚀剂施加电场，使其完全反应。本发明实施方式在焦深较小的情况下，采用电场对光刻深度进行控制，从而使所有的光致抗蚀剂完全反应，能有效地修复曝光不足以及避免曝光失败，并且具有较低的改进成本以及较强的工艺生产能力。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810204617.X 【申请日】2008-12-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101750903A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101750903B 【授权公告日】2013-01-02 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G03F7/20 【发明人】刘庆炜 【主权项内容】一种光刻方法，其特征在于，包括：提供表面具有曝光未完全的光致抗蚀剂的晶片；根据所述曝光未完全的光致抗蚀剂厚度，对所述光致抗蚀剂施加电场，使其完全反应。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
