【摘要】 一种具有低翘曲度的半导体晶片的制作方法，所述半导体晶片上制作有半导体器件，在制作金属间介电层和金属互连层的工艺中包括至少一次回火处理步骤，提高金属间介电层和金属互连层的原子活动能力，增加其延展性，相应降低应力，使得半导体晶片获得低翘曲度的效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201210 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810202116.8 【申请日】2008-10-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728316A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728316B 【授权公告日】2012-03-07 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/70 【发明人】李景伦; 赵洪波; 华宇; 郑召星 【主权项内容】一种具有低翘曲度的半导体晶片的制作方法，所述半导体晶片上制作有半导体器件，所述半导体器件至少包括金属间介电层和镶嵌于金属间介电层中的金属互连层，其特征在于：在制作金属间介电层和金属互连层的工艺中包括至少一次回火处理步骤。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】6 【被自引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】6
