【摘要】 本发明提供一种减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的方法，属于刻蚀技术领域。在等离子刻过程结束以后，以平均速率不大于500W/S的下降速率关断等离子刻蚀。该方法具有等离子刻蚀关断速度慢的特点，因此晶圆能随着慢慢关断的等离子体而转移残留电荷，达到减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的目的，进一步避免离子损伤导致的可靠性问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810207334.0 【申请日】2008-12-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752210A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/3065; H01L21/02 【发明人】张冬平; 左亚军; 段晓斌 【主权项内容】一种减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的方法，其特征在于，在等离子刻过程结束以后，以平均速率不大于500W/S的下降速率关断等离子刻蚀。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】7 【被自引次数】1.0 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】7
