【摘要】 一种铝布线制作方法，包括：对铝布线执行第一蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺为反应离子蚀刻工艺，且不施加偏置电压；在所述第一蚀刻工艺后，对所述铝布线执行第二蚀刻工艺，形成铝布线图形，所述第二蚀刻工艺为施加偏置电压的反应离子蚀刻工艺。所述铝布线制作方法弥补了由于蚀刻形成铝布线图形时的蚀刻速率差异而造成铝布线未蚀穿的蚀刻缺陷，从而避免了由于所述蚀刻缺陷而影响最终形成的半导体器件的质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810202827.5 【申请日】2008-11-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740469A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740469B 【授权公告日】2012-05-16 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/3213; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】王新鹏 【主权项内容】一种铝布线制作方法，其特征在于，包括：对铝布线执行第一蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺为反应离子蚀刻工艺，且不施加偏置电压；在所述第一蚀刻工艺后，对所述铝布线执行第二蚀刻工艺，形成铝布线图形，所述第二蚀刻工艺为施加偏置电压的反应离子蚀刻工艺。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6
