【摘要】 本发明公开了一种共享字线的侧墙型栅电极闪存单元结构，采用侧墙型栅电极结构，两边侧墙型栅电极共享字线电极，该字线电极与P型阱之间设有栅氧化层；该侧墙型栅电极与字线电极和P型阱之间设有ONO三明治层，字线电极与侧墙型栅电极之间的ONO三明治层由内至外依次包括：隧穿氧化层、氮化硅层、HTO层；该侧墙型栅电极与P型阱之间的ONO三明治层由下至上依次包括：隧穿氧化层、氮化硅层、HTO层。此外，本发明还公开了上述共享字线的侧墙型栅电极闪存单元结构的制作方法。通过上述共享字线的侧墙型栅电极闪存单元结构，本发明实现了两位存储，从而提高存储密度。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810044021.8 【申请日】2008-11-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740575A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L27/115; H01L23/522; H01L29/78; H01L21/8247; H01L21/768; H01L21/336 【发明人】林钢 【主权项内容】一种共享字线的侧墙型栅电极闪存单元结构，其特征在于，采用侧墙型栅电极结构，两边侧墙型栅电极共享字线电极，该字线电极与P型阱之间设有栅氧化层；该侧墙型栅电极与字线电极和P型阱之间设有ONO三明治层，字线电极与侧墙型栅电极之间的ONO三明治层由内至外依次包括：隧穿氧化层、氮化硅层、高温热氧化层；该侧墙型栅电极与P型阱之间的ONO三明治层由下至上依次包括：隧穿氧化层、氮化硅层、高温热氧化层。 【当前权利人】上海华虹NEC电子有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区川桥路1188号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
