【摘要】 本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元 下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆 相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于 结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材 料除电极外被高密度的SiO2等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元 的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证 相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度， 提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性 差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200810042218.8 【申请日】2008-08-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661992A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661992B 【授权公告日】2014-05-28 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24; G11C16/02; G11C11/56 【发明人】宋志棠; 丁晟; 刘波; 凌云; 陈小刚; 蔡道林; 封松林 【主权项内容】1、一种相变存储单元器件的复合电极结构，其特征在于由一个面积较小 尺寸的小电极与一个或多个面积较大尺寸的引流大电极构成的复合电极在相 变存储单元下方，共同对相变存储单元进行操作，整个相变存储单元的相变 材料除电极外被高密度的介质材料包覆；可逆相变区域控制在较小的电极周 围，可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电 导率； 所述的小电极，其尺寸小于标准CMOS工艺的通孔尺寸； 所述的大电极，其尺寸为标准CMOS工艺的通孔尺寸或稍大。 微信 【当前权利人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【统一社会信用代码】12100000425006790C 【引证次数】2.0 【被引证次数】5 【他引次数】2.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】5
