【摘要】 本发明公开了一种双极晶体管的表面钝化结构的制造方法，包括如下步骤：(1)在磷主扩的过程中生长二氧化硅层；(2)通过光刻和刻蚀去除二氧化硅层，并保留位于基区和发射区交界区域的二氧化硅层；(3)在保留的二氧化硅层上及终端区的硅片上生长SIPOS层；(4)蒸发沉积金属铝层，并对该铝层的部分区域通过铝布线光刻去除；(5)生长氮化硅层。本发明能使双极晶体管对小电流的放大倍数显著增加，且该放大倍数的线性得到明显改善。 【专利类型】发明授权 【申请人】深圳深爱半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518029 广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区2栋3楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】福田区 【申请号】CN200810217386.6 【申请日】2008-11-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101521223B 【公开公告日】2010-10-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101521223B 【授权公告日】2010-10-20 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/73; H01L21/331 【发明人】汪德文 【主权项内容】一种双极晶体管的表面钝化结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在磷主扩的过程中生长二氧化硅层；(2)通过光刻和刻蚀去除二氧化硅层，并保留位于基区和发射区交界区域的二氧化硅层；(3)在保留的二氧化硅层上及终端区的硅片上生长SIPOS层；(4)蒸发沉积金属铝层，并对该铝层的部分区域通过铝布线光刻去除；(5)生长氮化硅层。 【当前权利人】深圳深爱半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号 【家族被引证次数】4
