【摘要】 一种TFT基板，它属于玻璃技术领域，特别是用于显示器的TFT基板加工技术领域，在TFT基板设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层；所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层的镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2，透过率＞88％、方阻在600～1200Ω/□之间；所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层膜厚为80±20方阻在700～1150(Ω/□)之间。本发明采用低温、多靶、隔位溅射方法在TFT基板上镀制的高透过率、高方阻氧化铟锡膜层，即ITO膜，由于ITO膜的电阻值大，使得镀膜后的TFT基板具有良好的防静电功能，因此不容易吸附灰尘，同时防止镀膜时TFT基板的破碎和防止镀膜后TFT基板老化。 【专利类型】发明授权 【申请人】深圳市力合薄膜科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518024 广东省深圳市宝安区公明镇长圳村第四工业区19、20座 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810068440.5 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101350366B 【公开公告日】2010-04-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101350366B 【授权公告日】2010-04-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/786; H01L27/12; H01L23/60; H01L21/02; H01L21/336; H01L21/84; G02F1/1362; G02F1/1333; C23C14/56; C23C14/54; C23C14/35; C23C14/08 【发明人】胡安春; 温景成; 吴永光; 董坚 【主权项内容】一种用于防静电TFT基板的加工工艺，所述的防静电TFT基板为在TFT基板上设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层的防静电TFT基板，其特征在于所述的防静电TFT基板的加工工艺包括如下的步骤：A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；B：选用连续磁控溅射镀膜机完成镀膜：首先确定工艺参数：基片加热温度为50～70℃，镀膜室传动速度频率为15～18HZ，加热时间为15～25分钟，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室总气压为0.3～0.5Pa，使用隔位的两个靶或多个靶进行镀膜，镀膜室氩气流量为180～250Sccm，镀膜室真空度3.0*10-1Pa～5.0*10-1Pa之间，基板温度由70℃上升到85℃，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层膜层；氧化铟锡膜层膜厚控制在氩气的气体纯度为99.99％。 【当前权利人】深圳力合光电传感股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市光明新区公明办事处长圳社区长兴科技工业园16栋一至三层 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】10
