【摘要】 一种三极管制造方法，包括如下步骤：将芯片焊接在框架引脚厚度为0.36-0.44mm框架上；将键合丝键合连接所述芯片与框架的引脚；使用塑封料进行塑封成型保护。上述三极管制造方法通过减少框架厚度，实现节约材料以降低物料成本，同时降低了产品的重量，使单个产品的运输费用降低。此外，还提供了一种三极管。。： 【专利类型】发明授权 【申请人】深圳市晶导电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518101 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园3号厂房1－4层 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810217112.7 【申请日】2008-10-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101404261B 【公开公告日】2010-10-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101404261B 【授权公告日】2010-10-20 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L21/60; H01L21/607; H01L23/495 【发明人】高燕辉; 刘谋迪; 李忠 【主权项内容】一种三极管制造方法，其特征在于，包括如下步骤：将芯片焊接在框架引脚厚度为0.36-0.44mm框架上；将键合丝键合连接所述芯片与框架的引脚，所述键合丝与芯片接触时的超声功率为177-492mW，接触压力为70-130g；所述键合丝与芯片焊接过程中的超声功率为177-492mW，焊接过程中焊头施加的压力为100-170g；使用塑封料进行塑封成型保护。 【当前权利人】深圳市晶导电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园3号厂房1－4层 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91440300781379518R 【家族被引证次数】7
