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金属热处理装置及金属热处理方法专利

发布时间:2026-07-05

【摘要】 本发明提供一种金属热处理装置,其包括加热腔、第二偏压电源与第一偏压电源。该加 热腔用于收容待处理金属以对其进行热处理,该第一偏压电源与第二偏压电源分别于该加热 腔内产生两个方向相反的电场。该第一偏压电源的偏压值U1与第二偏压电源的偏压值U2分别 满足以下关系式: (见右上) n为大于或等于0的整数,u1的取值范围为50伏至1000伏,u2的取值范围为0伏至50伏, 频率f为104赫兹至106赫兹,t表示时间。本发明还涉及一种金属热处理方法,以消除金属 应力。。: 【专利类型】发明申请 【申请人】鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810304471.6 【申请日】2008-09-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101671800A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101671800B 【授权公告日】2013-02-13 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】C22F1/06; C21D1/30 【发明人】陈杰良 【主权项内容】1.一种金属热处理装置,其包括加热腔、第二偏压电源与第一偏压电源,所述加热腔用于收容待处理金属以对其进行热处理,所述第一偏压电源与第二偏压电源分别于所述加热腔内产生两个方向相反的电场,所述第一偏压电源的偏压值U1与第二偏压电源的偏压值U2分别满足以下关系式: n为大于或等于0的整数,u1的取值范围为50伏至1000伏,u2的取值范围为25伏至50伏,频率f为104赫兹至106赫兹,t表示时间。 【当前权利人】鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号; 中国台湾新北市土城区中山路66号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】914403007084307436 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】1

  • 【摘要】本发明公开了一种数据连接建立方法及路由器。其中,该数据连接建立方法包括以下步骤:IPv4网络内的客户端向路由器发送包含数据连接建立信息的报文;路由器对包含数据连接建立信息的报文进行转换,根据包含数据连接建立信息的报文在转换过程中的长
  • 【摘要】本发明适用于移动终端技术领域,提供了一种移动终端信息显示方法、装置以及移动终端,所述方法包括:接收用户选择的图片或动画,并将所述图片或动画设置为信息阅读界面;当接收到信息时,将所述图片或动画作为信息阅读界面显示。本发明通过将移动终端
  • 【摘要】一种定位信息发送系统,包括:设置模块,用于设置开启命令,预设通过通讯装置发出 的push mail的内容,包括收件地址;接收装置,用于接收push mail;识别模块,用于识别 所接收的push mail的内容与所设置的开启命令是否
  • 【摘要】本发明公开一种用于触摸屏的ITO薄膜制造方法,该方法包括:设置蚀刻保护层,在ITO薄膜的正面设置蚀刻保护层;蚀刻处理,对ITO薄膜正面进行蚀刻;清洁处理,对蚀刻后的ITO薄膜进行清洗;剥离蚀刻保护层,将经过清洁处理的ITO薄膜的蚀刻
  • 【摘要】一种薄膜晶体管基板,其包括一显示区、一栅极端子区、一数据端子区、一绝缘基底、一栅极、一像素电极、一栅极线、一栅极绝缘层图案、一半导体层图案、一源极、一漏极、一栅极端子及一导电保护层图案。栅极及像素电极设置在绝缘基底的显示区。栅极绝缘
  • 【摘要】一种照明装置,其包括:一个灯罩,一个散热模组,一个发光模组以及一个灯头。该灯 罩包括一个壳体一个设置在该壳体上的光学透镜,该壳体上具有多个第一通孔,该多个第一 通孔围绕该光学透镜分布。该散热模组部分收容在该壳体内,其具有部分暴露在该