【摘要】 （，） 。本发明公开了一种单级页表自身内存的保护方法，包括以下步骤：查询单级页表所在的内存区域S0、单级页表中的第一层页表所在的内存区域S1、单级页表中的第二层页表所在的内存区域S2、...、单级页表中的第n-1层页表所在的内存区域Sn-1、以及单级页表中的第n层页表所在的内存区域Sn，其中，单级页表中的第n层页表的页表项位于单级页表中的第n层页表中，n≥1；以及分别将内存区域S0中内存区域S1以外的部分、内存区域S1中内存区域S2以外的部分、...、内存区域Sn-1中内存区域Sn以外的部分、以及内存区域Sn保护起来。其中，单级页表中的连续页表项所占的内存区域连续。 【专利类型】发明授权 【申请人】中兴通讯股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810088270.7 【申请日】2008-04-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101266579B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101266579B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G06F12/08; G06F12/14 【发明人】梁金祥; 傅仁武 【主权项内容】一种单级页表自身内存的保护方法，其中，所述单级页表中的连续页表项所占的内存区域连续，其特征在于，所述方法包括：查询所述单级页表中的第0层页表所在的内存区域S0，查询所述单级页表中的第1层页表所在的内存区域S1，将所述内存区域S0中所述内存区域S 1以外的部分保护起来；查询所述单级页表中的第2层页表所在的内存区域S2，将所述内存区域S1中所述内存区域S2以外的部分保护起来；......；查询所述单级页表中的最后一层的第n层页表所在的内存区域Sn，将所述单级页表中的第n-1层页表所在的内存区域Sn-1中所述内存区域Sn以外的部分保护起来；以及将所述内存区域Sn保护起来；其中，所述单级页表中的第n层页表的页表项位于所述单级页表中的第n层页表中，所述单级页表称为第0层页表，第0层页表所占用内存对应的页表称为所述第1层页表，所述第1层页表所占用内存对应的页表称为所述第2层页表，......，所述第n-1层页表所占用内存对应的页表称为所述第n层页表，n≥1。 【当前权利人】中兴通讯股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦 【专利权人类型】上市股份有限公司 【统一社会信用代码】9144030027939873X7
